Lâmina de wafer de chapeamento de diamante DP
Descrição do produto As lâminas de wafer têm largura de corte muito fina, são reco...
#SiCCeramic #EBSD #MetallographicSamplePrep #SemiconductorMaterial #MaterialTesting
Carboneto de silício A cerâmica (SiC) apresenta excelente condutividade térmica, resistência a altas temperaturas, resistência ao desgaste e à corrosão, amplamente adotada na fabricação de semicondutores, energia fotovoltaica de novas energias, proteção térmica aeroespacial e metalurgia de alta temperatura. Seu desempenho em serviço é dominado pela morfologia dos grãos, condições de contorno dos grãos e tensões residuais.
O EBSD serve como um método de caracterização essencial para analisar a orientação dos grãos, textura e microdefeitos do SiC. Dados EBSD confiáveis orientam a otimização da sinterização e evitam falhas de componentes. A preparação precisa da amostra determina o sucesso da indexação EBSD para cerâmicas SiC duras e quebradiças. As lixas padrão falham no lixamento; são necessários discos diamantados e polimento vibratório.
Figura 1: Micrografia de amostra de cerâmica de carboneto de silício (SiC) (Escala: 300μm)
Figura 2: Micrografia de amostra de cerâmica de carboneto de silício (SiC) (Escala: 300μm)
Nosso procedimento de preparação para SiC EBSD:
1️⃣ Desbaste com disco diamantado P400 para planarização
2️⃣ Moagem fina: POS pad 9μm PD-WT suspensão de diamante
3️⃣ Polimento áspero: pano SC-JP suspensão PD-WT de 3μm
4️⃣ Polimento intermediário: suspensão de tecido ZN-ZP AO-A439
5️⃣ Polimento vibratório final: suspensão de tecido ZN-ZP AO-A439
#Troiano | #Troianometallography
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.png?imageView2/2/w/400/format/jpg/q/75 "Copos de Montagem Descartáveis")
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